碳化硅作爲第三代半導體材料,具有耐高溫、高電壓、高頻率、高功率等優良性能,被廣泛應用於電力、通信、光電、新能源等領域。
8英寸襯底是降低成本的關鍵之舉,有公司已經在8英寸碳化硅襯底有了最新進展。
碳化硅襯底在新能源汽車領域得到應用,未來有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半導體。