靜態存儲器和動態存儲器的區別

靜態存儲器和動態存儲器的區別是：

靜態RAM（SRAM）速度非常快，只要電源存在內容就不會自動消失。其基本存儲電路爲6個MOS管組成1位，因此集成度相對較低，功耗也較大。一般高速緩衝存儲器用它組成。動態RAM（DRAM）的內容在10-3或l0-6秒之後自動消失，因此必須週期性的在內容消失之前進行重新載入。由於它的基本存儲電路由一個晶體管及一個電容組成，因此它的集成度高，成本較低，另外耗電也少，但它需要一個額外的重新載入電路。DRAM執行速度較慢，SRAM比DRAM要快2到5倍，一般，PC機的標準存儲器都採用DRAM組成。

靜態存儲器依靠雙穩態觸發器的兩個穩定狀態儲存資訊。每個 雙穩態電路存儲一位 二進制代碼0或1，一塊 存儲芯片上包含許多個這樣的雙穩態電路。雙穩態電路是有源器件，需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩定的儲存資訊，所以稱爲靜態存儲器。如果斷電，資訊將會丟失，屬於揮發性存儲器，或稱易失性。

靜態存儲器在指定功能或應用軟件之間共享的存儲器。如果一個或兩個應用軟件佔用了所有存儲器空間，此時將無法爲其他應用軟件分配存儲器空間。 例如，日曆、短資訊和電話簿 （或通訊錄） 可能會共享移動設備中的動態存儲器。一般計算機系統使用的隨機存取內存(RAM)可分動態隨機存取內存(DRAM)與靜態隨機存取內存(SRAM)兩種，差異在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定週期對存儲器重新載入，才能維繫數據儲存，SRAM的數據則不需要重新載入過程，在上電期間，數據不會丟失。